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Infineon Technologies IPB14N03LA G
| Artikelnummer: | IPB14N03LA G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies IPB14N03LA G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPB14N03LA G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.6mOhm @ 30A, 10V Verlustleistung (max) 46W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1043 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) Grundproduktnummer IPB14N IPB14N03LA G Einzelheiten PDF [English] IPB14N03LA G PDF - EN.pdf -
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